Transistors. Page 98 sur 114. Avtronic

Transistor MPSA92

0.50€ TTC

60 En stock

Transistor bipolaire PNP. Tension collecteur-émetteur maxi: 300V. Courant collecteur maxi: 0.5A. Boîtier: TO-92. Paire: MPSA42. Fréquence maxi: 50 MHz. Puissance: 0.625W.

Quantité minimum: 2

0

Tarifs dégressifs

Transistor MPSW42

1.57€ TTC

132 En stock

Transistor NPN MPSW42 300V 0.5A 1W 50Mhz Cobo:3pF. Vce maxi: 300 V. Courant de collecteur maxi: 0.5 A. Boîtier: TO-92M. hFE: 25-40. Constructeur: ONS. One Watt High Voltage Transistor. Fréquence maxi: 50 MHz. Puissance: 1 W

0

Tarifs dégressifs

Transistor MPSW45A

4.54€ TTC

43 En stock

Transistor NPN Darlington. Tension collecteur-émetteur maxi: 60V. Courant de collecteur maxi: 1A. Boîtier: TO-92M. Gain Hfe: 25000. Puissance: 1W. Fréquence maxi: 100MHz.

0

Tarifs dégressifs

Transistor MPSW51A

0.50€ TTC

70 En stock

Transistor bipolaire PNP. Tension collecteur-émetteur maxi: 50V. Courant collecteur maxi: 1A. Boîtier: TO-92M. Fréquence maxi: 50 MHz. Tension Vcb: 40V. Puissance: 1W.

Quantité minimum: 2

0

Tarifs dégressifs

Transistor MPSW92

1.51€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor bipolaire PNP. Tension collecteur-émetteur maxi: 300V. Courant collecteur maxi: 0.5A. Boîtier: TO-92M. Fréquence maxi: 50 MHz. Puissance: 1W.

0

Tarifs dégressifs

Transistor MTD20P06HDL

3.98€ TTC

20 En stock

Transistor CMS MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension maxi: 60V. Courant de drain maxi: 15A. Puissance: 72W. Résistance passante: 0.143 Ohms. Marquage CMS: T20P06LG. Logic Level.

0

Tarifs dégressifs

Transistor MTP3055VL

4.48€ TTC

16 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET) 60V 12A. Boîtier: TO-220. Vds(max): 60V. Id(@25ºC): 12A. Puissance: 48W. Résistance Rds: 0.1 Ohms. Commande par niveau logique (Logic Level).

0

Tarifs dégressifs

Transistor MUN2212

1.57€ TTC

2893 En stock

Transistor CMS bipolaire NPN. Tension collecteur-émetteur maxi: 50V. Courant de collecteur maxi: 0.1A. Boîtier: 2.9x1.6x1.1. Résistance de polarisation base/émetteur intégrée: Rb=22K Rbe=22K.

0

Tarifs dégressifs

Transistor MX0842A

30.74€ TTC

1 En stock

Transistor double.

0

Tarifs dégressifs

Transistor NDB6030L

5.04€ TTC

65 En stock

Transistor NDB6030L N-MOS 30V 52A/156Ap 75W 0.011R. Field Effect Power MOSFET. Logic Level Enhancement Mode. Constructeur: NSC. Boîtier: D2Pak (TO-263). Tension de Drain maxi: 30 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 52 A. Rds (Ohms): 0.011.

0

Tarifs dégressifs

Transistor MOSFET canal-N NDF10N60ZG

6.33€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor MOSFET canal-N. Diode zéner intégrée. 600V 10A/40Ap 39W. Résistance passante RDSon : 0.65 Ohms (6A)

0

Tarifs dégressifs

Transistor NDP603AL

4.03€ TTC

54 En stock

Transistor NDP603AL N-MOS 30V 25A/100Ap 50W 0.18R. Field Effect Power MOSFET. Logic Level Enhancement Mode. Constructeur: NSC. Boîtier: TO-220. Tension de Drain maxi: 30 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 25 A. Rds (Ohms): 0.18. Courant impulsion: 100 Ap.

0

Tarifs dégressifs

Transistor MOSFET canal-N NDP7060

10.42€ TTC

77 En stock

Transistor MOSFET canal-N 60V 75A/225Ap 150W. Résistance passante RDSon : 0.013 Ohms

0

Tarifs dégressifs

Transistor NDS332P

0.95€ TTC

971 En stock

Transistor MOSFET canal P CMS 20V 1A/10Ap 0.35R SSOT-3. Constructeur: Fairchild Semiconductor. Code constructeur: NDS332P. Montage en surface (CMS). Boîtier: SSOT-3 (SuperSOT-3). Transistor FET: MOS. 3-pin. Type de canal: Canal P. Vds(max): 20V. Puissance: 0.5 W. IGF: 1A. Id(imp): 10 Ap. Idss (min): 1 uA. Idss (max): 10 uA. Vgs: 8V. Vgs(th) min.:

0

Tarifs dégressifs

Transistor NDS9948

3.70€ TTC

131 En stock

Double transistor CMS MOSFET canal P 60V 2.3A. Résistance Rds: 0.138 Ohms. Puissance: 2 W. Boîtier: SO-8. PowerTrench MOSFET. Gamme de température de fonctionnement: -55°C à +175°C.

0

Tarifs dégressifs

Transistor NJW1302

12.15€ TTC

34 En stock

Transistor bipolaire PNP. Tension collecteur-émetteur maxi: 250V. Courant collecteur maxi: 15A. Boîtier: TO-3P. Gain Hfe: 45(min). Paire: NJW3281. Fréquence maxi: 30 MHz. Tension Vcb: 250V. Puissance: 200W.

0

Tarifs dégressifs

Transistor NJW3281

13.10€ TTC

30 En stock

Transistor NPN NJW3281 250/250V 15A 200W 30MHz. Vce maxi: 250 V. Courant de collecteur maxi: 15 A. Boîtier: TO-3P. hFE: 45(min). Constructeur: ONS. Paire: NJW1302. Fréquence maxi: 30 MHz. Tension collecteur/base maxi: 250 V. Puissance: 200 W

0

Tarifs dégressifs

Transistor NP82N055PUG

9.13€ TTC

38 En stock

Transistor CMS MOSFET canal N 55V 82A. Référence d'origine constructeur: NP82N055PUG-E1-AY. Marquage boîtier: 82N055. Boîtier: TO-263 (MP-25ZP). Vds(max): 55V. Id(@25ºC): 82A. Puissance: 142W. Résistance Rds: 4.1 milliOhms.

0

Tarifs dégressifs

Transistor NTD20N06L

3.98€ TTC

97 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 60V. Courant de drain maxi: 20A. Puissance: 60W. Rds: 0.039 Ohm. Boîtier: TO252 DPAK. Logic Level.

0

Tarifs dégressifs

Transistor NTD2955-1G

2.69€ TTC

117 En stock

Transistor MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension drain-source maxi: -60V. Courant de drain maxi: -12A. Puissance: 55W. Résistance passante (Rds): 0.155 Ohm. Boîtier: TO-251 (i-Pak). Marquage CMS: NT2955.

0

Tarifs dégressifs

Transistor NTD2955T4

3.42€ TTC

194 En stock

Transistor CMS MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension maxi: 60V. Courant de drain maxi: 12A. Puissance: 55W. Résistance passante (Rds): 0.155 Ohms. Boîtier: TO-252 (D-Pak). Marquage CMS: NT2955.

0

Tarifs dégressifs

Transistors

Transistor MPSA92

Transistor bipolaire PNP. Tension collecteur-émetteur maxi: 300V. Courant collecteur maxi: 0.5A. Boîtier: TO-92. Paire: MPSA42. Fréquence maxi: 50 MHz. Puissance: 0.625W.

Transistor MPSW42

Transistor NPN MPSW42 300V 0.5A 1W 50Mhz Cobo:3pF. Vce maxi: 300 V. Courant de collecteur maxi: 0.5 A. Boîtier: TO-92M. hFE: 25-40. Constructeur: ONS. One Watt High Voltage Transistor. Fréquence maxi: 50 MHz. Puissance: 1 W

Transistor MPSW45A

Transistor NPN Darlington. Tension collecteur-émetteur maxi: 60V. Courant de collecteur maxi: 1A. Boîtier: TO-92M. Gain Hfe: 25000. Puissance: 1W. Fréquence maxi: 100MHz.

Transistor MPSW51A

Transistor bipolaire PNP. Tension collecteur-émetteur maxi: 50V. Courant collecteur maxi: 1A. Boîtier: TO-92M. Fréquence maxi: 50 MHz. Tension Vcb: 40V. Puissance: 1W.

Transistor MPSW92

Transistor bipolaire PNP. Tension collecteur-émetteur maxi: 300V. Courant collecteur maxi: 0.5A. Boîtier: TO-92M. Fréquence maxi: 50 MHz. Puissance: 1W.

Transistor MTD20P06HDL

Transistor CMS MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension maxi: 60V. Courant de drain maxi: 15A. Puissance: 72W. Résistance passante: 0.143 Ohms. Marquage CMS: T20P06LG. Logic Level.

Transistor MTP3055VL

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET) 60V 12A. Boîtier: TO-220. Vds(max): 60V. Id(@25ºC): 12A. Puissance: 48W. Résistance Rds: 0.1 Ohms. Commande par niveau logique (Logic Level).

Transistor MUN2212

Transistor CMS bipolaire NPN. Tension collecteur-émetteur maxi: 50V. Courant de collecteur maxi: 0.1A. Boîtier: 2.9x1.6x1.1. Résistance de polarisation base/émetteur intégrée: Rb=22K Rbe=22K.

Transistor MX0842A

Transistor double.

Transistor NDB6030L

Transistor NDB6030L N-MOS 30V 52A/156Ap 75W 0.011R. Field Effect Power MOSFET. Logic Level Enhancement Mode. Constructeur: NSC. Boîtier: D2Pak (TO-263). Tension de Drain maxi: 30 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 52 A. Rds (Ohms): 0.011.

Transistor MOSFET canal-N NDF10N60ZG

Transistor MOSFET canal-N. Diode zéner intégrée. 600V 10A/40Ap 39W. Résistance passante RDSon : 0.65 Ohms (6A)

Transistor NDP603AL

Transistor NDP603AL N-MOS 30V 25A/100Ap 50W 0.18R. Field Effect Power MOSFET. Logic Level Enhancement Mode. Constructeur: NSC. Boîtier: TO-220. Tension de Drain maxi: 30 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 25 A. Rds (Ohms): 0.18. Courant impulsion: 100 Ap.

Transistor MOSFET canal-N NDP7060

Transistor MOSFET canal-N 60V 75A/225Ap 150W. Résistance passante RDSon : 0.013 Ohms

Transistor NDS332P

Transistor NDS9948

Double transistor CMS MOSFET canal P 60V 2.3A. Résistance Rds: 0.138 Ohms. Puissance: 2 W. Boîtier: SO-8. PowerTrench MOSFET. Gamme de température de fonctionnement: -55°C à +175°C.

Transistor NJW1302

Transistor bipolaire PNP. Tension collecteur-émetteur maxi: 250V. Courant collecteur maxi: 15A. Boîtier: TO-3P. Gain Hfe: 45(min). Paire: NJW3281. Fréquence maxi: 30 MHz. Tension Vcb: 250V. Puissance: 200W.

Transistor NJW3281

Transistor NPN NJW3281 250/250V 15A 200W 30MHz. Vce maxi: 250 V. Courant de collecteur maxi: 15 A. Boîtier: TO-3P. hFE: 45(min). Constructeur: ONS. Paire: NJW1302. Fréquence maxi: 30 MHz. Tension collecteur/base maxi: 250 V. Puissance: 200 W

Transistor NP82N055PUG

Transistor CMS MOSFET canal N 55V 82A. Référence d'origine constructeur: NP82N055PUG-E1-AY. Marquage boîtier: 82N055. Boîtier: TO-263 (MP-25ZP). Vds(max): 55V. Id(@25ºC): 82A. Puissance: 142W. Résistance Rds: 4.1 milliOhms.

Transistor NTD20N06L

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 60V. Courant de drain maxi: 20A. Puissance: 60W. Rds: 0.039 Ohm. Boîtier: TO252 DPAK. Logic Level.

Transistor NTD2955-1G

Transistor MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension drain-source maxi: -60V. Courant de drain maxi: -12A. Puissance: 55W. Résistance passante (Rds): 0.155 Ohm. Boîtier: TO-251 (i-Pak). Marquage CMS: NT2955.

Transistor NTD2955T4

Transistor CMS MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension maxi: 60V. Courant de drain maxi: 12A. Puissance: 55W. Résistance passante (Rds): 0.155 Ohms. Boîtier: TO-252 (D-Pak). Marquage CMS: NT2955.

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